长波长GaInNAs/GaInAs光学装置

发明专利无效专利

申请号：
CN200410002886.X
IPC分类号：--
申请日期：
2004-01-20
申请人：
三星电子株式会社

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法律信息

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著录项信息

专利名称	长波长GaInNAs/GaInAs光学装置
申请号	CN200410002886.X	申请日期	2004-01-20
法律状态	撤回	申报国家	暂无
公开/公告日	2004-08-04	公开/公告号	CN1518179
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	三星电子株式会社	申请人地址	韩国京畿道变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三星电子株式会社	当前权利人	三星电子株式会社
发明人	林成进
代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	陶凤波;侯宇

摘要

本发明提供一种具有GaInNAs/GaInAs结构的光学装置。该光学装置包括：GaInNAs有源层，其具有量子阱结构并产生光；以及两个GaInAs阻挡层，其中一个被沉积在GaInNAs有源层的上表面上，另一个被沉积在GaInNAs有源层的下表面上，并且其具有比GaInNAs有源层高的导带能量和低的价带能量。因此，该光学装置在1.3μm或更长的长波长波段具有优异的光发射性能。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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