带辅助线条的双层衰减相移L/S掩模锥形衍射场的计算方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201210099540.0
IPC分类号：G03F1/32
申请日期：
2012-04-06
申请人：
北京理工大学

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专利名称	带辅助线条的双层衰减相移L/S掩模锥形衍射场的计算方法
申请号	CN201210099540.0	申请日期	2012-04-06
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2012-08-01	公开/公告号	CN102621801A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G03F1/32 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术〔4〕 G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备（照相排版装置入B41B；为摄影用的感光材料或处理入G03C；电记录、感光层或处理入G03G） G03F1/16 （转入G03F 1/00-G03F 1/86） G03F1/26 相移掩膜〔PSM〕；PSM空白；其制备〔2012.01〕 G03F1/32 衰减 PSM〔att-PSM〕，例如半色调PSM或者有半透明相移部分的PSM；其制备〔2012.01〕	IPC分类号	G;0;3;F;1;/;3;2查看分类表>
申请人	北京理工大学	申请人地址	北京市海淀区中关村南大街5号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京理工大学	当前权利人	北京理工大学
发明人	李艳秋;杨亮
代理机构	北京理工大学专利中心	代理人	李爱英;杨志兵

摘要

本发明提供一种带SRAF的双层衰减相移L/S掩模锥形衍射场的计算方法，具体步骤为：步骤一、设定电磁场展开时的空间谐波数n，n为奇数；步骤二、针对带辅助线条的双层衰减相移L/S掩模的每一光栅层，对其介电常数进行傅里叶Fourier展开；步骤三、根据布洛开条件，分别求解第i个衍射级次的波矢量沿着切向和法向的分量；步骤四、利用步骤二中和步骤三中计算的参数，求解每层光栅的特征矩阵，根据电磁场切向连续边界条件，利用增强透射矩阵法求解出射区域的衍射场。采用本发明能分析带辅助线条的双层衰减相移L/S掩模的锥形衍射场。

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