利用高温去光阻以形成高品质的多重厚度氧化物层的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN01806877.4
IPC分类号：--
申请日期：
2001-03-20
申请人：
先进微装置公司;富士通株式会社

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	利用高温去光阻以形成高品质的多重厚度氧化物层的方法
申请号	CN01806877.4	申请日期	2001-03-20
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2003-05-14	公开/公告号	CN1418372
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	先进微装置公司;富士通株式会社	申请人地址	美国加利福尼亚州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	AMD投资有限公司,赛普拉斯半导体公司	当前权利人	AMD投资有限公司,赛普拉斯半导体公司
发明人	A·T·会;小仓寿典
代理机构	北京纪凯知识产权代理有限公司	代理人	戈泊;程伟

摘要

本发明揭示一种藉由消除去光阻所导致的缺陷，以形成高品质的具有不同厚度的氧化物层的方法。该方法包含形成一个氧化物层(2)，以一层光阻层(8)将该氧化物层遮蔽，并将该光阻层加以显影以使该氧化物层的至少一部份(10)外露。然后将基板加热并去光阻以移除导自光阻的显影的任何残渣。此外，亦可于将该基板加热并且去光阻之前先将该光阻层(8)熟化。然后将该氧化物层(2)加以蚀刻，并将残余的光阻(8)剥除，之后再于该基板上生长另一层的氧化物(14)。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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