半自动车位器发明专利
申请号：CN200810061058.1
LOC分类号:E04H6/42
IPC结构图谱：
- C化学；冶金
- C2冶金
- C30晶体生长〔3〕
- C30B单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕
- C30B15/00熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法（在保护流体下的入C30B 27/00）〔3〕
- C30B15/30转动或移动熔体或晶体的机构（浮称法入C30B 15/28）〔3〕
