一种SE结构图案及其制作方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202011404688.1
IPC分类号：H01L31/0224;H01L31/0352;H01L31/18
申请日期：
2020-12-02
申请人：
横店集团东磁股份有限公司

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著录项信息

专利名称	一种SE结构图案及其制作方法
申请号	CN202011404688.1	申请日期	2020-12-02
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-03-19	公开/公告号	CN112531041A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/0224 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件（H01L 51/42优先；由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件，而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L 27/00）〔2，6，8〕 H01L31/02 零部件〔2〕 H01L31/0224 电极〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;0;2;2;4;;;H;0;1;L;3;1;/;0;3;5;2;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人	横店集团东磁股份有限公司	申请人地址	浙江省金华市东阳市横店镇工业区变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	横店集团东磁股份有限公司	当前权利人	横店集团东磁股份有限公司
发明人	张逸凡;何悦;金杭;朱太英;李文龙;方超炎
代理机构	北京品源专利代理有限公司	代理人	胡彬

摘要

本发明涉及单晶电池技术领域，公开了一种SE结构图案及其制作方法，其中SE结构图案包括：Mark点图组，Mark点图组设置于电池片的成形表面上，Mark点图组为十字型图组，Mark点图组包括相互交叉的横线和纵线，横线沿成形表面的横向设置，纵线沿成形表面的纵向设置；副栅激光线图组，副栅激光线图组设置于成形表面上，副栅激光线图组包括上部分、中间部分和下部分，上部分、中间部分和下部分均包括若干条第一刻线，第一刻线沿成形表面的横向分布；主栅激光线图组，主栅激光线图组设置于成形表面上，主栅激光线图组包括若干组第二刻线，每组第二刻线沿成形表面的纵向分布。通过上述结构，该SE结构图案能够提高电池片的电子发光检测合格率和电性能。

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