用于电催化小分子氧化耦合制氢的水滑石纳米片阵列的原位剥层方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110099787.1
IPC分类号：H01M4/485;H01M4/525;H01M10/052;C25B11/04;C25B1/04;C25B3/23
申请日期：
2021-01-25
申请人：
北京化工大学

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专利名称	用于电催化小分子氧化耦合制氢的水滑石纳米片阵列的原位剥层方法
申请号	CN202110099787.1	申请日期	2021-01-25
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-06-08	公开/公告号	CN112928271A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01M4/485 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01M 用于直接转变化学能为电能的方法或装置，例如电池组〔2〕（一般电化学的方法或装置入C25；用于转变光或热为电能的半导体或其他固态器件入H01L，例如H01L 31/00，H01L 35/00，H01L 37/00）〔2〕 H01M4/00 电极〔2〕 H01M4/02 由活性材料组成或包括活性材料的电极〔2〕 H01M4/36 作为活性物质、活性体、活性液体的材料的选择〔2〕 H01M4/48 无机氧化物或氢氧化物的〔2，2010.01〕 H01M4/485 插入或嵌入轻金属的混合氧化物或氢氧化物的，例如LiTi2O4或LiTi2OxFy的（H01M 4/505，H01M 4/525优先）〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;M;4;/;4;8;5;;;H;0;1;M;4;/;5;2;5;;;H;0;1;M;1;0;/;0;5;2;;;C;2;5;B;1;1;/;0;4;;;C;2;5;B;1;/;0;4;;;C;2;5;B;3;/;2;3查看分类表>
申请人	北京化工大学	申请人地址	北京市朝阳区北三环东路15号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京化工大学	当前权利人	北京化工大学
发明人	邵明飞;宋英杰;栗振华;卫敏
代理机构	天津市尚仪知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	邓琳

摘要

本发明公开了一种用于电催化小分子氧化耦合制氢的水滑石纳米片阵列的原位剥层方法，所述方法包括：(Ⅰ)水滑石纳米片阵列的水热生长；(Ⅱ)滑石纳米片阵列的电化学原位剥层等步骤。本发明提供了一种采用简单快速的水滑石纳米片阵列电化学原位剥层的较为普适的方法，采用本发明方法制备的超薄水滑石纳米片阵列可用于电催化小分子氧化耦合制氢等多种清洁能源储存与转化领域；合成步骤快速温和，剥层方法条件温和，操作简便，剥层后的超薄LDHs纳米片活性高，稳定性好。

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