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一种异质结电池的制备方法及异质结电池

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110047038.4
  • IPC分类号:H01L31/18;H01L31/20;H01L31/0236;H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/0747
  • 申请日期:
    2021-01-14
  • 申请人:
    宣城睿晖宣晟企业管理中心合伙企业(有限合伙)
著录项信息
专利名称一种异质结电池的制备方法及异质结电池
申请号CN202110047038.4申请日期2021-01-14
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-09-07公开/公告号CN113363349A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/18IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;1;8;;;H;0;1;L;3;1;/;2;0;;;H;0;1;L;3;1;/;0;2;3;6;;;H;0;1;L;3;1;/;0;2;1;6;;;H;0;1;L;3;1;/;0;2;2;4;;;H;0;1;L;3;1;/;0;7;4;7查看分类表>
申请人宣城睿晖宣晟企业管理中心合伙企业(有限合伙)申请人地址
安徽省宣城市宣城经济技术开发区青弋江大道宣城科技园B19-1幢 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人宣城睿晖宣晟企业管理中心合伙企业(有限合伙)当前权利人宣城睿晖宣晟企业管理中心合伙企业(有限合伙)
发明人不公告发明人
代理机构北京清大紫荆知识产权代理有限公司代理人彭一波
摘要
本申请实施例中提供了一种异质结电池的制备方法及异质结电池,属于光伏电池技术领域,该制备方法具体包括如下步骤:对硅片进行单面制绒,使硅片一侧面形成绒面,另一侧面保持抛光面;在硅片的绒面和抛光面上分别制备非晶硅层;在绒面的非晶硅层上依次层叠制备第一透明导电层和透明绝缘薄膜层,并在透明绝缘薄膜层对应金属栅线的区域裸露出第一透明导电层;在抛光面的非晶硅层上制备第二透明导电层;制备金属栅线,绒面的金属栅线穿过透明绝缘薄膜层与第一透明导电层接触,抛光面的金属栅线直接与第二透明导电层接触。通过本申请的处理方案,解决现有技术中硅片损耗较大的问题,降低异质结电池的成本。

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