一种自对准石墨烯场效应晶体管及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201310226455.0
IPC分类号：H01L29/16;H01L29/772;H01L21/32;H01L21/335
申请日期：
2013-06-07
申请人：
中国科学院微电子研究所

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专利名称	一种自对准石墨烯场效应晶体管及其制备方法
申请号	CN201310226455.0	申请日期	2013-06-07
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2013-09-18	公开/公告号	CN103311276A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L29/16 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L 31/00至H01L 47/00，H01L 51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L 23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2，6〕 H01L29/02 按其半导体本体的特征区分的〔2〕 H01L29/12 按其构成材料的特征区分的〔2〕 H01L29/16 除掺杂材料或其他杂质外，只包括以游离态存在的周期系中Ⅳ族元素的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;9;/;1;6;;;H;0;1;L;2;9;/;7;7;2;;;H;0;1;L;2;1;/;3;2;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;5查看分类表>
申请人	中国科学院微电子研究所	申请人地址	北京市朝阳区北土城西路3号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院微电子研究所	当前权利人	中国科学院微电子研究所
发明人	金智;彭松昂;麻芃;张大勇;史敬元;陈娇
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	任岩

摘要

本发明公开了一种自对准石墨烯场效应晶体管及其制备方法，该自对准石墨烯场效应晶体管包括半导体衬底、绝缘层、导电通道、源电极、漏电极、栅介质层、栅金属和自对准金属，其中，绝缘层形成于半导体衬底上，导电沟道形成于绝缘体上，导电沟道由石墨烯构成，源电极和漏电极分别形成于导电通道的两侧，栅介质层选择性沉积在源电极和漏电极之间的导电沟道上，栅金属形成于栅介质层之上，栅介质层与栅金属同时图形化堆砌在一起形成栅堆积层，对沟道区载流子浓度进行调控；自对准金属层覆盖源电极、漏电极、导电通道以及栅金属之上，减小未被栅条覆盖区域面积，实现器件栅与源漏的自对准。

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