提高NANDFlash存储可靠性的数据存储方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201410653332.X
IPC分类号：H03M13/03
申请日期：
2014-11-17
申请人：
哈尔滨工业大学

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著录项信息

专利名称	提高NANDFlash存储可靠性的数据存储方法
申请号	CN201410653332.X	申请日期	2014-11-17
法律状态	授权	申报国家	暂无
公开/公告日	2015-03-25	公开/公告号	CN104467871A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H03M13/03 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H03 基本电子电路 H03M 一般编码、译码或代码转换（用射流方法入F15C 4/00；光学模/数转换器入G02F 7/00；专用于特殊应用的编码、译码或代码转换见有关小类，例如G01D，G01R，G06F，G06T，G09G，G10L，G11B，G11C，H04B，H04L，H04M，H04N；专用于密码技术或涉及需要保密的其他目的的编码或译码入G09C）〔4〕 H03M13/00 用于检错或纠错的编码、译码或代码转换；编码理论基本假设；编码约束；误差概率估计方法；信道模型；代码的模拟或测试（用于模/数，数/模或代码转换的检错或纠错入H03M 1/00至H03M 11/00；专用于数字计算机的入G06F 11/08，用于基于记录载体和传感器之间相对运动的信息存储器入G11B，例如G11B 20/18，用于静态存储器的入G11C）〔4，7〕 H03M13/03 用数据表示中的冗余项检错或前向纠错，即码字包含比源字更多的位数〔7〕	IPC分类号	H;0;3;M;1;3;/;0;3查看分类表>
申请人	哈尔滨工业大学	申请人地址	黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	哈尔滨工业大学	当前权利人	哈尔滨工业大学
发明人	魏德宝;邓立宝;赵浩然;乔立岩
代理机构	哈尔滨市松花江专利商标事务所	代理人	杨立超

摘要

提高NANDFlash存储可靠性的数据存储方法，属于固态硬盘存储技术领域。解决了现有的方法在处理NANDFlash的数据贮存错误和编程干扰错误中，有效性依赖于待处理数据的前后字节具有很强的相关性；以及浪费有效的存储空间和需要配备完善的数据增位缓冲机制才可以实现与页宽度的对齐，不能与地址映射算法进行透明适配的问题。技术方案为：在数据存储至NANDFlash之前应用半字节短码重映射编码，而在从NANDFlash中读出数据后应用半字节短码反映射解码，通过提升吞吐数据中“1”的比例，以达到提高数据存储可靠性。本发明适用于以NANDFlash为主存储芯片的固态存储设备。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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