一种低饱和压降数字三极管

发明专利有效专利

申请号：
CN202010375911.8
IPC分类号：H01L23/49;H01L25/16;H01L29/73
申请日期：
2020-05-07
申请人：
山东沂光集成电路有限公司

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著录项信息

专利名称	一种低饱和压降数字三极管
申请号	CN202010375911.8	申请日期	2020-05-07
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2020-08-11	公开/公告号	CN111524867A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/49 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/48 用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置〔2〕 H01L23/488 由焊接或黏结结构组成〔5，8〕 H01L23/49 类似线状的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;4;9;;;H;0;1;L;2;5;/;1;6;;;H;0;1;L;2;9;/;7;3查看分类表>
申请人	山东沂光集成电路有限公司	申请人地址	山东省临沂市郯城高科技电子产业园A7栋变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	山东沂光集成电路有限公司	当前权利人	山东沂光集成电路有限公司
发明人	王兴超;路尚伟;杜丰田
代理机构	合肥东邦滋原专利代理事务所（普通合伙）	代理人	吴晓娜

摘要

本发明公开了一种低饱和压降数字三极管，包括三极管整体结构，所述三极管整体结构包括三极管座，所述三极管座的一侧固定有基极卡座，且三极管座与基极卡座相对的一侧固定有发射杆连接结构，所述三极管座的内部中心设置有三极管卡槽，且三极管座对应三极管卡槽的位置卡合有三极管管体结构，本发明的三极管管体结构一侧设置有不同电阻的集电极杆，且三极管座对应集电极杆的一侧设置有集电杆接电片，集电杆接电片可以向外拨开，拨开后管体可以在三极管座内部自由滑动，进而改变不同阻值的电阻与集电杆接电片相连，可以根据具体电路板进行改变电阻，实用性更强，同时管体便于拆卸更换，便于三极管的安装维护。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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