减少存储器设备的冷读取中的读取干扰的注入类型

发明专利有效专利

申请号：
CN201880070552.6
IPC分类号：G11C16/34;G11C16/24;G11C16/04
申请日期：
2018-11-19
申请人：
闪迪技术有限公司

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著录项信息

专利名称	减少存储器设备的冷读取中的读取干扰的注入类型
申请号	CN201880070552.6	申请日期	2018-11-19
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-06-12	公开/公告号	CN111279418A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C16/34 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C16/00 可擦除可编程序只读存储器（G11C 14/00优先）〔5〕 G11C16/02 电可编程序的〔5〕 G11C16/06 辅助电路，例如，用于写入存储器的（一般入G11C 7/00）〔5〕 G11C16/34 编程状态的确定，例如，阈值电压、过编程或欠编程、保留〔7〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;6;/;3;4;;;G;1;1;C;1;6;/;2;4;;;G;1;1;C;1;6;/;0;4查看分类表>
申请人	闪迪技术有限公司	申请人地址	美国德克萨斯州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	闪迪技术有限公司	当前权利人	闪迪技术有限公司
发明人	H-Y·陈;Y·董
代理机构	北京纪凯知识产权代理有限公司	代理人	徐东升

摘要

本申请公开一种用于在选定NAND串的读取操作期间优化未选定NAND串中的沟道升压电平的存储器设备和相关技术。跟踪电路跟踪一个块的未选定字线的浮动电压的指示符。例如，这可以包括跟踪自上一次感测操作以来的时间，以及确定是否在没有后续感测操作的情况下发生了通电事件。响应于读取命令，指示符用于设置读取操作中的参数，这可以减少干扰。这可以包括在未选定字线的电压的增加期间设置选择栅极电压脉冲的持续时间和/或幅值。控制栅极电压脉冲的持续时间和/或幅值也可以基于温度来设置。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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