转移构件、其制备方法及具有其的转移头

发明专利有效专利

申请号：
CN202011089108.4
IPC分类号：B81C1/00;B81B3/00;H01L21/683;H01L33/48
申请日期：
2020-10-12
申请人：
重庆康佳光电技术研究院有限公司

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著录项信息

专利名称	转移构件、其制备方法及具有其的转移头
申请号	CN202011089108.4	申请日期	2020-10-12
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-06-15	公开/公告号	CN112960641A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B81C1/00 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B8 微观结构技术；纳米技术 B81 微观结构技术〔7〕 B81C 专门适用于制造或处理微观结构装置或系统的方法或设备（制造微胶囊或微球入B01J13/02；专门适用于制造或处理压电器件、电致伸缩器件或磁致伸缩器件的方法或设备本身入H01L41/22）〔7〕 B81C1/00 在基片内或其上制造或处理的装置或系统（B81C 3/00优先）〔7〕	IPC分类号	B;8;1;C;1;/;0;0;;;B;8;1;B;3;/;0;0;;;H;0;1;L;2;1;/;6;8;3;;;H;0;1;L;3;3;/;4;8查看分类表>
申请人	重庆康佳光电技术研究院有限公司	申请人地址	重庆市璧山区璧泉街道钨山路69号（1号厂房）变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	重庆康佳光电技术研究院有限公司	当前权利人	重庆康佳光电技术研究院有限公司
发明人	王涛;伍凯义
代理机构	北京康信知识产权代理有限责任公司	代理人	王晓玲

摘要

本发明涉及一种转移构件、其制备方法及具有其的转移头。该制备方法包括以下步骤：提供无机衬底，形成无机衬底的材料选自含硅无机材料、III‑V族化合物半导体材料、II‑VI族化合物半导体材料和金属材料中的任一种或多种，其中，金属的硬度小于蓝宝石的硬度；采用干法刻蚀工艺在无机衬底表面形成第一微结构，得到图形化衬底；在图形化衬底的图形化表面形成弹性胶层，弹性胶层具有与第一微结构互补的第二微结构；去除图形化衬底，得到转移构件。上述制备方法能够通过提高工艺良率，降低工艺制程的成本，还能够实现更大的深宽比，提高了LED的转移良率；此外，上述制备方法能够有效降低转移构件表面的粗糙度。

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