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转移构件、其制备方法及具有其的转移头

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202011089108.4
  • IPC分类号:B81C1/00;B81B3/00;H01L21/683;H01L33/48
  • 申请日期:
    2020-10-12
  • 申请人:
    重庆康佳光电技术研究院有限公司
著录项信息
专利名称转移构件、其制备方法及具有其的转移头
申请号CN202011089108.4申请日期2020-10-12
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-06-15公开/公告号CN112960641A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号B81C1/00IPC分类号B;8;1;C;1;/;0;0;;;B;8;1;B;3;/;0;0;;;H;0;1;L;2;1;/;6;8;3;;;H;0;1;L;3;3;/;4;8查看分类表>
申请人重庆康佳光电技术研究院有限公司申请人地址
重庆市璧山区璧泉街道钨山路69号(1号厂房) 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人重庆康佳光电技术研究院有限公司当前权利人重庆康佳光电技术研究院有限公司
发明人王涛;伍凯义
代理机构北京康信知识产权代理有限责任公司代理人王晓玲
摘要
本发明涉及一种转移构件、其制备方法及具有其的转移头。该制备方法包括以下步骤:提供无机衬底,形成无机衬底的材料选自含硅无机材料、III‑V族化合物半导体材料、II‑VI族化合物半导体材料和金属材料中的任一种或多种,其中,金属的硬度小于蓝宝石的硬度;采用干法刻蚀工艺在无机衬底表面形成第一微结构,得到图形化衬底;在图形化衬底的图形化表面形成弹性胶层,弹性胶层具有与第一微结构互补的第二微结构;去除图形化衬底,得到转移构件。上述制备方法能够通过提高工艺良率,降低工艺制程的成本,还能够实现更大的深宽比,提高了LED的转移良率;此外,上述制备方法能够有效降低转移构件表面的粗糙度。

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