<110>无位错硅单晶的制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200610129891.6
IPC分类号：C30B29/06;C30B15/00
申请日期：
2006-12-06
申请人：
天津市环欧半导体材料技术有限公司

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专利名称	<110>无位错硅单晶的制造方法
申请号	CN200610129891.6	申请日期	2006-12-06
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2007-07-11	公开/公告号	CN1995485
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/06 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/02 元素〔3〕 C30B29/06 硅〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;0;6;;;C;3;0;B;1;5;/;0;0查看分类表>
申请人	天津市环欧半导体材料技术有限公司	申请人地址	内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区宝力尔街15号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	内蒙古中环领先半导体材料有限公司	当前权利人	内蒙古中环领先半导体材料有限公司
发明人	沈浩平;汪雨田;胡元庆;尚伟泽;周建华;李翔;李海静
代理机构	天津中环专利商标代理有限公司	代理人	王凤英;阎雅茹

摘要

本发明涉及硅单晶的拉晶工艺，特别涉及一种适用于半导体和太阳能光电器件的<110>无位错单晶的制造方法以及对在制造方法过程中使用的石墨热系统的改进。该方法包括如下步骤：(1).在引晶工艺中，引晶直径应≥5mm，其收放比例为100%，引晶拉速应≥5mm/min，引晶长度为150-300mm；(2).在放肩工艺中，放肩速度为0.2～1.5mm/min；(3).在等径工艺中，单晶头部拉速应为1.0-3.0mm/min，尾部拉速应为0.5-2.0mm/min；(4).在收尾工艺中，单晶收尾长度应大于晶体的直径，收尾最小直径应≤10mm。制造<110>无位错硅单晶的石墨热系统的上保温筒的保温层厚度为20～30mm，下保温筒的保温层厚度为60～70mm，炉底护盘的保温层厚度为70～80mm。本发明成功实现了生产<110>无位错单晶，从而满足了国内外市场对<110>无位错单晶的需求。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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