半导体材料制备装置

实用新型有效专利

申请号：
CN201921670209.3
IPC分类号：H01L21/67
申请日期：
2019-10-08
申请人：
苏州纳维科技有限公司

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著录项信息

专利名称	半导体材料制备装置
申请号	CN201921670209.3	申请日期	2019-10-08
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/67 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/67 专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置〔8〕	IPC分类号	H01L21/67查看分类表>
申请人	苏州纳维科技有限公司	申请人地址	江苏省苏州市工业园区独墅湖高教区若水路3*** 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	苏州纳维科技有限公司	当前权利人	苏州纳维科技有限公司
发明人	张育民;徐科;王建峰
代理机构	苏州国诚专利代理有限公司	代理人	杨淑霞

摘要

本实用新型提供一种半导体材料制备装置，其包括：预处理单元、生长单元、传送单元；预处理单元包括内部提供预处理空间的第一腔室，第一腔室中设置有预处理机构，预处理机构通过刻蚀、腐蚀、热分解、机械化学抛光中一种方式或几种方式的结合对基底表面进行预处理，生长单元包括内部提供生长空间的第二腔室，传送单元包括：通道、设置于通道中的传送机构，通道连通第一腔室和第二腔室，且第一、二腔室及二者之间的通道与外部隔绝，传送机构一端延伸至第一腔室中，另一端延伸至第二腔室中。本实用新型能够在外延生长之前，对基底表面吸附的Si、O等杂质进行去除，从而避免后续生长时，在生长界面处出现高掺杂层，进而提升器件的光电性能。