闪存的存储单元的形成方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201210124976.0
IPC分类号：H01L27/11521
申请日期：
2012-04-25
申请人：
上海宏力半导体制造有限公司

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著录项信息

专利名称	闪存的存储单元的形成方法
申请号	CN201210124976.0	申请日期	2012-04-25
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2012-08-15	公开/公告号	CN102637647A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/11521 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/02 包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的〔2〕 H01L27/04 其衬底为半导体的〔2〕 H01L27/10 在重复结构中包括有多个独立组件的〔2〕 H01L27/105 包含场效应组件的〔5〕 H01L27/112 只读存储器结构的〔5〕 H01L27/115 电动编程只读存储器；其多步骤制造方法〔5，2006.01，2017.01〕 H01L27/11517 具有浮栅的〔2017.01〕　 H01L27/11521 以存储器核心区为特征的（三维布置H01L 27/11551）〔2017.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;2;1查看分类表>
申请人	上海宏力半导体制造有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海华虹宏力半导体制造有限公司	当前权利人	上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人	于涛;胡勇;李冰寒
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	骆苏华

摘要

一种闪存的存储单元的形成方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成第一绝缘层，在所述第一绝缘层表面形成浮栅多晶硅层，在所述浮栅多晶硅层表面形成应力层；在形成应力层后，对所述应力层、浮栅多晶硅层、第一绝缘层和半导体衬底进行热退火；在热退火之后，去除所述应力层；在去除应力层后，在所述半导体衬底表面形成贯穿所述浮栅多晶硅层和第一绝缘层的源线层；去除部分浮栅多晶硅层，在所述源线层两侧的第一绝缘层表面形成浮栅层，且所述浮栅层与源线层电隔离。所述闪存的存储单元的形成方法能够使应力保留在浮栅层内，从而提高闪存的存储单元的沟道载流子迁移率，提高数据的保持力的同时，能够减小闪存的存储单元的尺寸。

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