一种高功率密度IGBT模块的双面水冷散热封装结构

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201920319526.4
IPC分类号：--
申请日期：
2019-03-13
申请人：
黄山学院;黄山谷捷散热科技有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种高功率密度IGBT模块的双面水冷散热封装结构
申请号	CN201920319526.4	申请日期	2019-03-13
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	黄山学院;黄山谷捷散热科技有限公司	申请人地址	安徽省黄山市屯溪区西海路39号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	黄山学院,黄山谷捷散热科技有限公司	当前权利人	黄山学院,黄山谷捷散热科技有限公司
发明人	许媛;赵浩;张燕飞;鲍婕;宁仁霞;陈珍海;周斌;张俊武
代理机构	苏州国诚专利代理有限公司	代理人	韩凤

摘要

本实用新型涉及一种高功率密度IGBT模块的双面水冷散热封装结构，该结构包括IGBT子单元、二极管子单元、覆铜陶瓷基板、缓冲垫片、焊料层、导热硅脂层、石墨烯散热层以及上下水冷板散热器。所述的石墨烯散热层将转移至指定位置的芯片表面作为快速横向散热层，将芯片的局部热量迅速横向铺开，实现局部热点快速降温。本实用新型制作简单，灵活性高，可有效缓解水冷散热器散热不均匀，从而提升器件可靠性及使用寿命。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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