一种半导体器件的制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201210261969.5
IPC分类号：H01L21/336
申请日期：
2012-07-26
申请人：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种半导体器件的制造方法
申请号	CN201210261969.5	申请日期	2012-07-26
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2014-02-12	公开/公告号	CN103578994A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/336 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/334 制造单极型器件的台阶式工艺〔5〕 H01L21/335 场效应晶体管〔5〕 H01L21/336 带有绝缘栅的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江路18号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	当前权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
发明人	隋运奇;焦明洁
代理机构	北京市磐华律师事务所	代理人	董巍;高伟

摘要

本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极结构，且所述栅极结构两侧形成有紧靠所述栅极结构的侧壁结构；在所述栅极结构之间的半导体衬底中形成硅凹槽；蚀刻所述硅凹槽，以形成第一∑状凹槽；在所述第一∑状凹槽中形成第一锗硅层；形成覆盖所述栅极结构的间隙壁结构；在所述栅极结构之间的半导体衬底中形成第二∑状凹槽；在所述第二∑状凹槽中形成第二锗硅层。根据本发明，可以通过嵌入式锗硅进一步增强作用于PMOS沟道区的应力，还可以更好地控制器件栅极和漏极之间的叠加电容的大小。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供