氮化镓基高电子迁移率晶体管仿真方法、装置及存储介质

发明专利有效专利

申请号：
CN202011472354.8
IPC分类号：G06F30/367
申请日期：
2020-12-14
申请人：
厦门市三安集成电路有限公司

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专利名称	氮化镓基高电子迁移率晶体管仿真方法、装置及存储介质
申请号	CN202011472354.8	申请日期	2020-12-14
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-03-26	公开/公告号	CN112560381A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G06F30/367	IPC分类号	G;0;6;F;3;0;/;3;6;7查看分类表>
申请人	厦门市三安集成电路有限公司	申请人地址	福建省厦门市同安区洪塘镇民安大道753-799号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	厦门市三安集成电路有限公司	当前权利人	厦门市三安集成电路有限公司
发明人	张永明;蔡文必;魏鸿基;林义书
代理机构	北京超成律师事务所	代理人	张江陵

摘要

一种氮化镓基高电子迁移率晶体管仿真方法、装置及存储介质，涉及半导体器件仿真技术领域。该氮化镓基高电子迁移率晶体管仿真方法包括：获取待仿真的输入电压；将输入电压输入氮化镓基高电子迁移率晶体管模型，获取模型运行后输出的输出电流，其中，模型包括：原始ASM模型，在原始ASM模型的栅极和源极之间设有电性关系，以及在原始ASM模型的栅极和漏极之间设有电性关系；且模型的公式包含栅极与源极之间的反向电流的计算公式、栅极与漏极之间的反向电流的计算公式。该氮化镓基高电子迁移率晶体管仿真方法能够解决先进高电子迁移率场效应管集约模型在描述器件栅极反向电流上的缺失，从而提高晶体管的仿真精确度。

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