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*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

包括阻挡区的半导体器件

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201811531738.5
  • IPC分类号:H01L29/739;H01L29/06;H01L29/10
  • 申请日期:
    2018-12-14
  • 申请人:
    英飞凌科技奥地利有限公司
著录项信息
专利名称包括阻挡区的半导体器件
申请号CN201811531738.5申请日期2018-12-14
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2019-07-12公开/公告号CN110010679A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/739
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;3;9;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;9;/;1;0查看分类表>
申请人英飞凌科技奥地利有限公司申请人地址
奥地利菲拉赫西门子大街2号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人英飞凌科技奥地利有限公司当前权利人英飞凌科技奥地利有限公司
发明人C.伦德茨;M.比纳;M.达伊内塞;A.P-S.谢;C.P.桑多
代理机构中国专利代理(香港)有限公司代理人刘书航;申屠伟进
摘要
公开了包括阻挡区的半导体器件。半导体器件包括晶体管。晶体管包括在具有第一主表面的半导体衬底中的第一导电类型的漂移区和在漂移区和第一主表面之间的第二导电类型的主体区。晶体管进一步包括在第一主表面中的多个沟槽。各沟槽使半导体衬底图案化为包括第一台面和虚设台面的多个台面。所述多个沟槽包括至少一个有源沟槽。第一台面和虚设台面分别被布置在有源沟槽的相对的侧处。晶体管进一步包括布置在有源沟槽中的栅极电极和在第一台面中的第一导电类型的源极区。晶体管的单侧沟道被配置为形成在第一台面中。

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