发光装置的制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200380108578.9
IPC分类号：H05B33/10;H05B33/14;B41J2/01
申请日期：
2003-11-05
申请人：
株式会社半导体能源研究所

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	发光装置的制造方法
申请号	CN200380108578.9	申请日期	2003-11-05
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2006-02-15	公开/公告号	CN1736130
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H05B33/10 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H05 其他类目不包含的电技术 H05B 电热；其他类目不包含的电照明 H05B33/00 电致发光光源〔1，8〕 H05B33/10 专门适用于制造电致发光光源的设备或方法	IPC分类号	H;0;5;B;3;3;/;1;0;;;H;0;5;B;3;3;/;1;4;;;B;4;1;J;2;/;0;1查看分类表>
申请人	株式会社半导体能源研究所	申请人地址	日本神奈川县厚木市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社半导体能源研究所	当前权利人	株式会社半导体能源研究所
发明人	山崎舜平;村上雅一;野村亮二;濑尾哲史
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	浦柏明;刘宗杰

摘要

本发明是一种发光装置的制造方法，其特征在于，在减压下将含有发光性材料的溶液朝向阳极或阴极喷射，在上述溶液到达上述阳极或阴极期间，使上述溶液中的溶媒挥发，同时使残存的上述发光性材料在上述阳极或阴极上堆积，形成发光层。利用本发明，在喷涂溶液后不需要用于形成薄膜的焙烧工序，因此，能够提供一种以低成本并且简便的方法实现高生产能力的制造方法。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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