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利用四氯化硅低温水解沉淀生产二氧化硅的方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201010164963.7
  • IPC分类号:C01B33/12;B09B3/00
  • 申请日期:
    2010-05-07
  • 申请人:
    李平
著录项信息
专利名称利用四氯化硅低温水解沉淀生产二氧化硅的方法
申请号CN201010164963.7申请日期2010-05-07
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2010-09-08公开/公告号CN101823718A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C01B33/12IPC分类号C;0;1;B;3;3;/;1;2;;;B;0;9;B;3;/;0;0查看分类表>
申请人李平申请人地址
四川省绵阳市涪城区健安街宏杰花园B栋3-101号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人李平当前权利人李平
发明人李平
代理机构暂无代理人暂无
摘要
本发明公开了一种利用四氯化硅低温水解沉淀生产二氧化硅的方法,属硅的化合物技术领域。它是将配制成的钠盐溶液加入密闭反应釜中再加入四氯化硅,反应后调节pH值于8-9;将反应物进行固液分离,分离后的盐水浓缩干燥后,为氯化钠成品;固体二氧化硅经洗涤去除氯化钠残留;洗涤的水配制成盐水循环使用;洗涤后的二氧化硅经干燥为二氧化硅成品。本发明在密闭条件下进行,工艺简单、安全可靠、能耗低、处理量大、无污染、投资小。

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