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三维微结构及其形成方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200710093281.X
IPC分类号：H01P3/06
申请日期：
2007-12-28
申请人：
罗门哈斯电子材料有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	三维微结构及其形成方法
申请号	CN200710093281.X	申请日期	2007-12-28
法律状态	授权	申报国家	暂无
公开/公告日	2008-10-01	公开/公告号	CN101274735
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01P3/06 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01P 波导；谐振器、传输线或其他波导型器件（工作在光频的入G02B） H01P3/00 波导；波导型传输线 H01P3/02 带有两个纵向导体的 H01P3/06 同轴线	IPC分类号	H;0;1;P;3;/;0;6查看分类表>
申请人	罗门哈斯电子材料有限公司	申请人地址	美国马萨诸塞州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	罗门哈斯电子材料有限公司	当前权利人	罗门哈斯电子材料有限公司
发明人	C·A·尼克尔斯;S·周;W·D·霍克
代理机构	上海专利商标事务所有限公司	代理人	沙永生

摘要

本发明提供了三维微结构及其形成方法。该微结构通过一顺序构造工艺形成并包括相互固定的微结构元件。例如，在用于电磁能的同轴传输线中该微结构获得了应用。

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