化学机械研磨后清洗方法以及化学机械研磨方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201210093907.8
IPC分类号：H01L21/02;B08B3/04
申请日期：
2012-03-31
申请人：
上海宏力半导体制造有限公司

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著录项信息

专利名称	化学机械研磨后清洗方法以及化学机械研磨方法
申请号	CN201210093907.8	申请日期	2012-03-31
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2012-08-01	公开/公告号	CN102623308A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;2;;;B;0;8;B;3;/;0;4查看分类表>
申请人	上海宏力半导体制造有限公司	申请人地址	上海市张江高科技园区祖冲之路1399号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海华虹宏力半导体制造有限公司	当前权利人	上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人	李儒兴;秦海燕;李志国;龚大伟;王雷
代理机构	上海思微知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	郑玮

摘要

本发明提供了一种多晶硅化学机械研磨后清洗方法以及化学机械研磨方法。根据本发明的化学机械研磨后清洗方法包括：首先，在兆声波清洗步骤中，利用NH4OH的质量百分比为2.8+/-0.2％、H2O2的质量百分比为3.0+/-0.2％的富H2O2的SCl溶液进行兆声波清洗；此后，在后续的PVA(聚乙烯醇)刷子刷洗步骤中，利用NH4OH(氨水)和DIW(去离子水)清洗晶圆并刷洗晶圆表面。本发明利用高浓度SCl(刻蚀剂为NH4OH)来提高对自然氧化层的刻蚀效率，由此可以获得更好的清洗效果，同时利用SCl中的更高浓度的H2O2来氧化多晶硅形成氧化层，从而保证在获得较好的清洗效果的同时也会在多晶硅表面生成一定厚度的自然氧化层，使得后续的刷子清洗过程不会在多晶硅上形成有机物污染层，从而不会由于多晶硅上的污染而影响多晶硅在空气中的自然氧化层的生长。

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