具有快速稳定特性的互补-金属-氧化物半导体恒电位仪

发明专利有效专利

申请号：
CN200810239334.9
IPC分类号：G01N27/416
申请日期：
2008-12-10
申请人：
中国科学院电子学研究所

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著录项信息

专利名称	具有快速稳定特性的互补-金属-氧化物半导体恒电位仪
申请号	CN200810239334.9	申请日期	2008-12-10
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2010-06-23	公开/公告号	CN101750446A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01N27/416 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01N （除免疫测定法以外包括酶或微生物的测量或试验入C12M，C12Q） G01N27/00 用电、电化学或磁的方法测试或分析材料（G01N 3/00至G01N 25/00优先；电或磁变量的测量或试验，材料的电磁性能的测试或试验入G01R） G01N27/26 通过测试电化学变量；用电解或电泳法〔5〕 G01N27/416 系统（G01N 27/27优先）〔5〕	IPC分类号	G;0;1;N;2;7;/;4;1;6查看分类表>
申请人	中国科学院电子学研究所	申请人地址	北京市海淀区北四环西路19号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院电子学研究所	当前权利人	中国科学院电子学研究所
发明人	杨海钢;吴其松;崔秀海
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	周国城

摘要

本发明公开了一种具有快速稳定特性的互补-金属-氧化物半导体恒电位仪，涉及传感器微弱电流检测技术，包括一个跨导运算放大器(OTA)，一个NMOS管，一个用于快速充电的开关，片内和片外稳压和滤噪声电容。跨导运算放大器(OTA)输出端接NMOS的栅极，NMOS的源极接运算放大器的反相输入端，组成一个电流传输器，NMOS漏极作为恒电位仪的输出端；开关跨接在跨导放大器的正、反相输入端，开关的控制端接系统的置位端。本发明能增强传感器工作电极电压的稳定性，并能使电路在检测任何大小的电流时都能快速进入检测状态，本发明的恒电位仪使NMOS漏端更接近理想的恒流源输出。

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