一种低温快速生长各种类型图形化三维石墨烯的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201610695374.9
IPC分类号：C01B32/186
申请日期：
2016-08-19
申请人：
中国科学院重庆绿色智能技术研究院

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著录项信息

专利名称	一种低温快速生长各种类型图形化三维石墨烯的方法
申请号	CN201610695374.9	申请日期	2016-08-19
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2017-01-11	公开/公告号	CN106315570A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C01B32/186 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C01 无机化学 C01B 非金属元素；其化合物（制备元素或二氧化碳以外无机化合物的发酵或用酶工艺入C12P 3/00；用电解法或电泳法生产非金属元素或无机化合物入C25B） C01B31/36 （转入C01B 32/956-C01B 32/991） C01B32/15 纳米级碳材料〔2017.01〕 C01B32/182 石墨烯〔2017.01〕 C01B32/184 制备〔2017.01〕 C01B32/186 化学气相沉积〔CVD〕〔2017.01〕	IPC分类号	C;0;1;B;3;2;/;1;8;6查看分类表>
申请人	中国科学院重庆绿色智能技术研究院	申请人地址	重庆市北碚区方正大道266号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院重庆绿色智能技术研究院	当前权利人	中国科学院重庆绿色智能技术研究院
发明人	于乐泳;冯双龙;胡云;孙泰;杨俊;魏大鹏;史浩飞;杜春雷
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明提供了一种低温快速生长各种类型图形化三维石墨烯的方法，属于电子生产技术和柔性器件制备领域，该方法步骤包括：(1)制作掩模板图形；(2)固定掩模板和生长基底：(3)低温生长三维石墨烯；通过该方法可制备任意形状的三维石墨烯。该方法步骤简单、高效、成本低、环保，且无需进行加热处理，适用于图形化三维石墨烯的产业化生产，同时也可应用于其他二维三维材料的图形化处理。

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