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用于半导体布置的结构和制造半导体布置的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200480013709.X
IPC分类号：H01L21/027;H01L29/06;G03F7/00;H01L21/20;H01L51/40;H01L21/311;H01L21/312;H05B33/10;H01L21/28
申请日期：
2004-05-13
申请人：
皇家飞利浦电子股份有限公司

基础信息

权利要求

说明书

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	用于半导体布置的结构和制造半导体布置的方法
申请号	CN200480013709.X	申请日期	2004-05-13
法律状态	权利终止	申报国家	暂无
公开/公告日	2006-06-21	公开/公告号	CN1791965
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/027 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/027 未在H01L 21/18或H01L 21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;2;7;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;G;0;3;F;7;/;0;0;;;H;0;1;L;2;1;/;2;0;;;H;0;1;L;5;1;/;4;0;;;H;0;1;L;2;1;/;3;1;1;;;H;0;1;L;2;1;/;3;1;2;;;H;0;5;B;3;3;/;1;0;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8查看分类表>
申请人	皇家飞利浦电子股份有限公司	申请人地址	韩国京畿道变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三星电子株式会社	当前权利人	三星电子株式会社
发明人	保卢斯·C·杜因费尔德;格温·H·格林克
代理机构	永新专利商标代理有限公司	代理人	王英

摘要

本发明涉及一种用于半导体布置的结构。用于支持淀积含有半导体的溶液的抗蚀剂结构直接或通过中间层耦合到衬底上。抗蚀剂结构包括用于淀积含有半导体的溶液的凹陷(301)，和对准凹陷的至少一部分边缘且通过凸起(307)与凹陷分开的槽(305)。槽(305)优选包围凹陷。槽对含有半导体的溶液提供牵制效果，由此提高了润湿性，并因而允许增加的半导体量施加到给定区域上。

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