超声快速沉积法制备纳米氧化物透明导电膜的设备及方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200510016278.9
IPC分类号：--
申请日期：
2005-03-09
申请人：
南开大学

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专利名称	超声快速沉积法制备纳米氧化物透明导电膜的设备及方法
申请号	CN200510016278.9	申请日期	2005-03-09
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2005-09-21	公开/公告号	CN1670252
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	南开大学	申请人地址	天津市卫津路*** 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	南开大学	当前权利人	南开大学
发明人	赵庚申;王庆章;许盛之;王瑜
代理机构	天津市学苑有限责任专利代理事务所	代理人	解松凡

摘要

本发明涉及一种制备纳米氧化物透明导电膜的设备及方法，特别是涉及用SnO2∶F(掺氟二氧化锡)采用超声快速沉积法制备大面积纳米透明导电膜的方法及超声喷雾发生装置。本发明的技术方案：这种设备包括雾化箱、热反应室和管道；热反应室内底部有玻璃衬底。其特点在于：用超声喷雾方法将SnO2∶F溶液雾化后通过雾化喷嘴以纳米级的颗粒均匀地喷涂在20×20cm2大面积玻璃衬底上，制备成用于制造薄膜太阳电池的大面积纳米透明导电膜。本发明的有益效果是：该工艺设备简单、所制薄膜均匀性和重复性好，厚度和结构都十分均匀。同时耐酸碱腐蚀，可见光透过率高，附着力强。可以使用有机溶剂的种类很多，价格价廉，成本低。