横向p-i-n结构Ge光电探测器的制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201410183675.4
IPC分类号：H01L31/105;H01L31/18
申请日期：
2014-05-04
申请人：
厦门大学

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法律信息

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著录项信息

专利名称	横向p-i-n结构Ge光电探测器的制备方法
申请号	CN201410183675.4	申请日期	2014-05-04
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2014-07-16	公开/公告号	CN103928562A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/105 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/058 （转入H01L 31/0525，H02S 40/44） H01L31/08 其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器〔2〕 H01L31/10 特点在于至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的，例如光敏晶体管〔2〕 H01L31/101 对红外、可见或紫外辐射敏感的器件〔5〕 H01L31/102 仅以一个势垒或面垒为特征的〔5〕 H01L31/105 为PIN型势垒的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;1;0;5;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人	厦门大学	申请人地址	福建省厦门市思明南路422号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	厦门大学	当前权利人	厦门大学
发明人	黄巍;魏江镔;陈松岩;李成
代理机构	厦门南强之路专利事务所（普通合伙）	代理人	马应森

摘要

横向p-i-n结构Ge光电探测器的制备方法，涉及一种锗光电探测器。1)在衬底上外延生长单晶锗层，再在锗层上生长SiO2覆盖层；2)利用微电子光刻技术在外延单晶锗层上刻蚀出细长条的有源区台面；3)利用单晶锗层上面的SiO2覆盖层做掩蔽，通过侧向大偏角离子注入在台面两侧形成掺杂p区与掺杂n区；4)沉积金属Ni层后热退火，利用NiGe、NiSi形成时的自对准工艺在台面两侧及刻蚀区底部形成NiGe和NiSi接触电极；5)引出器件电极，保护钝化层，即得横向p-i-n结构Ge光电探测器。工艺简单，可操作性强，极具应用价值。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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