带垫层的薄型温度熔断器的制造工艺

发明专利有效专利

申请号：
CN201110027599.4
IPC分类号：H01H69/02
申请日期：
2011-01-26
申请人：
上海长园维安电子线路保护股份有限公司

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著录项信息

专利名称	带垫层的薄型温度熔断器的制造工艺
申请号	CN201110027599.4	申请日期	2011-01-26
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2011-07-20	公开/公告号	CN102129936A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01H69/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01H 电开关；继电器；选择器；紧急保护装置（接触电缆入H01B7/10；电解式自断续器入H01G9/18；紧急保护电路装置入H02H；无触点电子开关入H03K17/00） H01H69/00 制造紧急保护装置的设备或加工方法 H01H69/02 熔断器制造	IPC分类号	H;0;1;H;6;9;/;0;2查看分类表>
申请人	上海长园维安电子线路保护股份有限公司	申请人地址	上海市虹口区柳营路125号8楼806 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海维安电子有限公司	当前权利人	上海维安电子有限公司
发明人	张子川;钱朝勇;沈海波;杨彬
代理机构	上海东亚专利商标代理有限公司	代理人	董梅

摘要

本发明涉及一种带垫层结构的薄型温度熔断器的制造工艺，带垫层结构的薄型温度熔断器包括一对金属引脚，金属引脚相对呈直线排列且端部间留有间距，且在间距部设有垫层，在金属引脚端部的下方设有下载带，该垫层将两端部相互横向阻隔，且将熔芯与下载带之间相互纵向阻隔，两端部之间由熔芯焊接相连，在熔芯上涂刷有助熔剂，上载带从上方覆盖，上载带与下载带形成一密闭空间，将金属引脚端部、熔芯以及助熔剂密封于该密闭空间的内部，其中，所述的熔芯是从背面焊接在引脚上。优点是：本发明通过背面焊接来保护熔芯，克服了目前合金正面焊接中形貌上破坏、氧化层加重、熔芯内部普遍有二次结晶并伴随晶体长大的缺陷，极大的减少因熔芯过度焊接受热而引起的熔断温度非正常上升。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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