基于Si-Ge2Sb2Te5混合波导的片上光子多级开关

发明专利有效专利

申请号：
CN202010202823.8
IPC分类号：G02B6/35;G02B6/12;G02B6/124;G02B6/136;G02B6/132;G02B6/13
申请日期：
2020-03-20
申请人：
北京工业大学

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专利名称	基于Si-Ge2Sb2Te5混合波导的片上光子多级开关
申请号	CN202010202823.8	申请日期	2020-03-20
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-06-09	公开/公告号	CN111258001A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G02B6/35 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G02 光学 G02B 光学元件、系统或仪器（G02F优先；专用于照明装置或系统的光学元件入F21V 1/00至F21V 13/00；测量仪器见G01类的有关小类，例如，光学测距仪入G01C；光学元件、系统或仪器的测试入G01M 11/00；眼镜入G02C；摄影、放映或观看用的装置或设备入G03B；声透镜入G10K 11/30；电子和离子“光学”入H01J；X射线“光学”入H01J，H05G 1/00；结构上与放电管相组合的光学元件入H01J 5/16，H01J 29/89，H01J 37/22；微波“光学”入H01Q；光学元件与电视接收机的组合装置入H04N 5/72；彩色电视系统中的光学系统或装置入H04N 9/00；专门适用于透明或反射区的加热装置入H05B 3/84）〔1，7〕 G02B6/22 （转入G02B 6/036） G02B6/24 光波导的耦合（电波导的耦合入H01P 1/00）〔4，5〕 G02B6/26 光耦合装置（G02B 6/36，G02B 6/42优先）〔4〕 G02B6/35 有切换装置的（一般的光学切换入G02B 26/08；通过改变介质的光学特性的入G02F 1/00）〔6〕	IPC分类号	G;0;2;B;6;/;3;5;;;G;0;2;B;6;/;1;2;;;G;0;2;B;6;/;1;2;4;;;G;0;2;B;6;/;1;3;6;;;G;0;2;B;6;/;1;3;2;;;G;0;2;B;6;/;1;3查看分类表>
申请人	北京工业大学	申请人地址	北京市朝阳区平乐园100号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京工业大学	当前权利人	北京工业大学
发明人	刘富荣;李玉;张永志;韩钊;陈清远;孙腾
代理机构	北京思海天达知识产权代理有限公司	代理人	刘萍

摘要

基于Si‑Ge2Sb2Te5混合波导的片上光子多级开关，属于皮秒激光和连续激光应用技术领域。本发明基于激光多脉冲作用和倏逝波耦合理论。非晶Ge2Sb2Te5和单模Si波导直接耦合，Ge2Sb2Te5薄膜通过磁控溅射法沉积，通过调节皮秒激光脉冲数和脉冲能量来调节Ge2Sb2Te5不同结晶状态实现多级开关操作。本器件不需要维持传统光开关由于热光效应和电光效应带来的能耗，是一种绿色的器件。并且由于Ge2Sb2Te5在不同结晶状态下具有不同的光学常数，其晶态折射率和消光系数高于非晶态的折射率和消光系数，这使得材料与光的耦合及对光的吸收能力不同，进而实现多级操作。本发明可广泛应用于光通信系统。

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