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一种掺杂稀土氧化物的Mo-Si-B合金及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201711165442.1
  • IPC分类号:C22C27/04C22C1/05C22C1/10
  • 申请日期:
    2017-11-21
  • 申请人:
    西安理工大学
著录项信息
专利名称一种掺杂稀土氧化物的Mo-Si-B合金及其制备方法
申请号CN201711165442.1申请日期2017-11-21
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2018-05-15公开/公告号CN108034875A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C22C27/04IPC分类号C22C27/04;C22C1/05;C22C1/10查看分类表>
申请人西安理工大学申请人地址
陕西省西安市金花南*** 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人西安理工大学当前权利人西安理工大学
发明人张国君;李瑞;陈璇;王娟
代理机构西安弘理专利事务所代理人韩玙
摘要
本发明具体涉及一种掺杂稀土氧化物的Mo‑Si‑B合金,包括α‑Mo、Mo3Si、Mo5SiB2和稀土氧化物,α‑Mo的晶粒中,有10%‑25%为,60%‑70%为亚微米尺度,5%‑30%为纳米尺度,微米尺度的α‑Mo分布在亚微米或纳米尺度α‑Mo晶粒内;Mo3Si的晶粒和Mo5SiB2的晶粒均为亚微米尺度,且均分布在α‑Mo晶粒内;稀土氧化物,10‑30%为亚微米尺度和70‑90%为纳米尺度,且所述稀土氧化物颗粒分布于α‑Mo、Mo3Si和Mo5SiB2的晶内和晶界。本发明还涉及掺杂稀土氧化物的Mo‑Si‑B合金的制备方法,包括称取原料、球磨混合、机械合金化、高能球磨、在球磨混合,烧结等步骤,本发明的Mo‑Si‑B合金更具备优良的强度和断裂韧性;本发明的掺杂稀土氧化物的Mo‑Si‑B合金的制备方法,设备要求低,制备工艺简单,成本低,易于实现产业化生产。

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