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一种可抑制寄生器件的半导体器件

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110472540.X
  • IPC分类号:H01L29/06;H01L29/78
  • 申请日期:
    2021-04-29
  • 申请人:
    成都芯源系统有限公司
著录项信息
专利名称一种可抑制寄生器件的半导体器件
申请号CN202110472540.X申请日期2021-04-29
法律状态实质审查申报国家暂无
公开/公告日2021-08-13公开/公告号CN113257892A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/06IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8查看分类表>
申请人成都芯源系统有限公司申请人地址
四川省成都市成都高新综合保税区科新路8号成都芯源系统有限公司 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人成都芯源系统有限公司当前权利人成都芯源系统有限公司
发明人艾瑞克·布劳恩;张志其;柳志亨
代理机构暂无代理人暂无
摘要
本发明提出了一种半导体器件,所述半导体器件包括第一P型区域、包围第一P型区域的N型区域、包围N型区域的第二P型区域。所述第一P型区域耦接至第一电压,所述N型区域耦接至第二电压,并且所述N型区域具有肖特基接触区,所述肖特基接触区通过金属接触耦接至第二电压。利用本发明所揭示的半导体器件,可以有效抑制所述半导体器件在部分工作条件下的产生的不必要的空穴注入,防止空穴注入引起的复合电流激活所述半导体器件的寄生PNP晶体管。

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