首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据，仅供参考，实际以国家知识产权局展示为准

VDMOS及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201310306193.9
IPC分类号：H01L21/336;H01L29/78
申请日期：
2013-07-19
申请人：
北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	VDMOS及其制造方法
申请号	CN201310306193.9	申请日期	2013-07-19
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2015-01-21	公开/公告号	CN104299908A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/336 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/334 制造单极型器件的台阶式工艺〔5〕 H01L21/335 场效应晶体管〔5〕 H01L21/336 带有绝缘栅的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8查看分类表>
申请人	北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司	申请人地址	北京市海淀区成府路298号中关村方正大厦9层变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北大方正集团有限公司,深圳方正微电子有限公司	当前权利人	北大方正集团有限公司,深圳方正微电子有限公司
发明人	马万里
代理机构	北京同立钧成知识产权代理有限公司	代理人	孟金喆

摘要

本发明公开了一种VDMOS及其制造方法。该方法包括在衬底上形成氧化层、各P+区域、N‑区域、栅氧化层和栅极的流程，其中，还包括：在衬底上对应有源区中P+区的位置上方形成保护层，其中，所述保护层位于所述栅极和所述有源区中P+区之间。本发明利用VDMOS的已有制备工艺形成对有源区中P+区的保护层，以减少栅极通过有源区中P+区而产生的栅源漏电现象。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供