一种硅中硼杂质的去除方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200910094519.X
IPC分类号：C01B33/037
申请日期：
2009-05-26
申请人：
昆明理工大学

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著录项信息

专利名称	一种硅中硼杂质的去除方法
申请号	CN200910094519.X	申请日期	2009-05-26
法律状态	权利终止	申报国家	暂无
公开/公告日	2009-10-28	公开/公告号	CN101565186
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C01B33/037 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C01 无机化学 C01B 非金属元素；其化合物（制备元素或二氧化碳以外无机化合物的发酵或用酶工艺入C12P 3/00；用电解法或电泳法生产非金属元素或无机化合物入C25B） C01B33/00 硅；其化合物（C01B 21/00，C01B 23/00优先；过硅酸盐入 C01B 15/14；碳化物入C01B32/956）〔1，3，2006.01〕 C01B33/02 硅（形成单晶或有一定结构的均匀多晶材料入C30B）〔5〕 C01B33/037 纯化（用区域熔融入C30B 13/00）〔5〕	IPC分类号	C;0;1;B;3;3;/;0;3;7查看分类表>
申请人	昆明理工大学	申请人地址	云南省昆明市五华区学府路253号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	昆明理工大学	当前权利人	昆明理工大学
发明人	马文会;伍继君;王烨;杨斌;谢克强;刘大春;周阳;魏奎先;秦博;梅向阳;汪镜福;戴永年
代理机构	昆明慧翔专利事务所	代理人	周一康

摘要

一种硅中硼杂质的去除方法。用工业硅以及含硼的废料为原料，按硅与添加剂的重量比＝80∶1～2∶1的比例在硅粉中加入硫化物(CuS)、氯化物(CrCl3、FeCl3)、氟化物(VF3)变价化合物中的任意选择一种，经研磨成型后将混合物在氩气氛保护下，温度为600℃～1600℃条件下反应0.5～8h，使加入的化合物与硅中杂质硼反应生成气态化合物硫化硼，氯化硼或氟化硼挥发去除，随炉冷却。工业硅和含硼硅废料中B的含量降低到＜5×10-5wt％，即0.5ppmw，达到太阳能级多晶硅对硼杂质的要求。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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