一种NiO/NiCu复合电极材料的制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201610537428.9
IPC分类号：H01G11/30;H01G11/46;H01G11/86
申请日期：
2016-07-08
申请人：
武汉工程大学

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著录项信息

专利名称	一种NiO/NiCu复合电极材料的制备方法
申请号	CN201610537428.9	申请日期	2016-07-08
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2016-09-21	公开/公告号	CN105957727A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01G11/30 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01G 电容器；电解型的电容器、整流器、检波器、开关器件、光敏器件或热敏器件（电介质专用材料的选择入H01B 3/00；电位跃迁或表面阻挡层的电容器入H01L 29/00） H01G11/00 混合电容器，即具有不同正极和负极的电容器；双电层（EDL）电容器；其制造方法或其零部件的制造方法〔2013.01〕 H01G11/22 电极〔2013.01〕 H01G11/30 以它们的材料为特征的〔2013.01〕	IPC分类号	H;0;1;G;1;1;/;3;0;;;H;0;1;G;1;1;/;4;6;;;H;0;1;G;1;1;/;8;6查看分类表>
申请人	武汉工程大学	申请人地址	湖北省武汉市洪山区雄楚大街693号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	武汉工程大学	当前权利人	武汉工程大学
发明人	王升高;陈睿;刘星星;崔丽佳;皮小强;张维
代理机构	湖北武汉永嘉专利代理有限公司	代理人	刘洋

摘要

本发明公开了一种NiO/NiCu复合电极材料的制备方法。包括以下步骤：将洁净的铜高温氧化，获得呈发射状结构的纳米氧化铜线阵列；采用化学镀的方法在纳米氧化铜线阵列表面镀上一层镍，高温退火，形成Ni/NiCu阵列；将所得材料高温氧化，生成氧化镍，制得NiO/NiCu电极材料。制得的电极材料中铜镍合金为呈发射状的纳米阵列，并且氧化镍附着在合金表面，这样不仅增大了电极材料的表面积，也有利于离子在阵列结构中快速传输，进而提高超级电容器的能量密度和功率密度。

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