降低氮化物只读存储器的编程干扰的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200710044974.X
IPC分类号：G11C16/10
申请日期：
2007-08-17
申请人：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	降低氮化物只读存储器的编程干扰的方法
申请号	CN200710044974.X	申请日期	2007-08-17
法律状态	权利终止	申报国家	暂无
公开/公告日	2009-02-18	公开/公告号	CN101369455
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C16/10 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C16/00 可擦除可编程序只读存储器（G11C 14/00优先）〔5〕 G11C16/02 电可编程序的〔5〕 G11C16/06 辅助电路，例如，用于写入存储器的（一般入G11C 7/00）〔5〕 G11C16/10 编程或数据输入电路〔7〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;6;/;1;0查看分类表>
申请人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江路18号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	当前权利人	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
发明人	陈德艳;缪威权;陈良成;刘鉴常
代理机构	上海专利商标事务所有限公司	代理人	陈亮

摘要

本发明公开一种降低氮化物只读存储器的编程干扰的方法，用以降低氮化物只读存储器编程中的位线干扰，该氮化物只读存储器具有一存储单元阵列，该阵列中的存储单元的栅极连接多条字线，该阵列中的存储单元的源极或漏极连接多条位线，其特征在于，该方法包括以下步骤：对选中的存储单元编程；与此同时，对该氮化物只读存储器施加一特定的基体偏压，使该基体偏压施加至与选中的存储单元同一位线的未选中存储单元。通过选取适当的基体偏压，可使BL干扰降低到可容忍的程度，且不影响存储器的编程效能。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供