微热导检测器及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201611123850.6
IPC分类号：B81B7/04;B81C1/00;G01N30/66
申请日期：
2016-12-08
申请人：
中国科学院上海微系统与信息技术研究所

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	微热导检测器及其制备方法
申请号	CN201611123850.6	申请日期	2016-12-08
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2018-06-19	公开/公告号	CN108178122A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B81B7/04 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B8 微观结构技术；纳米技术 B81 微观结构技术〔7〕 B81B 微观结构的装置或系统，例如微观机械装置（压电元件、电致伸缩元件或磁致伸缩元件本身入H01L41/00）〔7〕 B81B7/00 微观结构系统〔7，2006.01〕 B81B7/04 类似的微观结构装置的网络或排列〔7，2006.01〕	IPC分类号	B;8;1;B;7;/;0;4;;;B;8;1;C;1;/;0;0;;;G;0;1;N;3;0;/;6;6查看分类表>
申请人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	申请人地址	上海市长宁区长宁路865号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	当前权利人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所
发明人	冯飞;田博文;侯磊;李昕欣
代理机构	上海光华专利事务所（普通合伙）	代理人	罗泳文

摘要

本发明提供一种微热导检测器及制备方法：所述微热导检测器具有三明治结构，从下而上依次是玻璃衬底、带微沟槽的SOI硅片和带微沟道的玻璃；交叉网状结构制作于SOI硅片表面并悬浮于微通道之中，其结构包括SOI硅片的顶层硅、由两层氧化硅/氮化硅薄膜所保护的热敏电阻；关键工艺包括刻蚀SOI硅片的衬底硅、埋氧层（或埋氧层及第二介质层）释放交叉网状结构，通过两次静电键合完成微热导检测器芯片的制作。本发明以SOI硅片顶层硅为热敏电阻的主要支撑层，与高掺杂硅相比较，顶层硅中晶格完整，缺陷少，作为支撑层具有更好的机械强度，且其厚度可根据性能要求灵活选择。本发明减小了交叉网状结构的形变，大大提高了热敏电阻支撑结构的强度及稳定性。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供