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发光元件及其制造方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200710168278.X
  • IPC分类号:H01L33/00
  • 申请日期:
    2002-07-24
  • 申请人:
    信越半导体株式会社
著录项信息
专利名称发光元件及其制造方法
申请号CN200710168278.X申请日期2002-07-24
法律状态撤回申报国家暂无
公开/公告日2008-05-07公开/公告号CN101174665
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/00IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人信越半导体株式会社申请人地址
日本东京 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人信越半导体株式会社当前权利人信越半导体株式会社
发明人石崎顺也
代理机构上海专利商标事务所有限公司代理人范征
摘要
本发明提供了发光元件,其具有由带隙能为2.2eV以上的宽带隙型氧化物半导体所构成的发光层部;该发光层部具有由p型金属包层、活性层及n型金属包层相互层叠的双异型构造,且前述p型金属包层与前述n型金属包层中的至少一方具有第一结晶层及第二结晶层,前述第一结晶层通过异型接合与前述活性层邻接,对载体显现障壁层的作用;第二结晶层在前述活性层的相反侧与该第一结晶层异型接合,其带隙能较该第一结晶层低。

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