一种碳纳米管薄膜的制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201510330909.8
IPC分类号：H01M4/66;H01M4/1393;B82Y30/00;B82Y40/00
申请日期：
2015-06-16
申请人：
南昌大学

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种碳纳米管薄膜的制备方法
申请号	CN201510330909.8	申请日期	2015-06-16
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2015-11-11	公开/公告号	CN105047940A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01M4/66 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01M 用于直接转变化学能为电能的方法或装置，例如电池组〔2〕（一般电化学的方法或装置入C25；用于转变光或热为电能的半导体或其他固态器件入H01L，例如H01L 31/00，H01L 35/00，H01L 37/00）〔2〕 H01M4/00 电极〔2〕 H01M4/02 由活性材料组成或包括活性材料的电极〔2〕 H01M4/64 载体或集电器〔2〕 H01M4/66 材料的选择〔2〕	IPC分类号	H;0;1;M;4;/;6;6;;;H;0;1;M;4;/;1;3;9;3;;;B;8;2;Y;3;0;/;0;0;;;B;8;2;Y;4;0;/;0;0查看分类表>
申请人	南昌大学	申请人地址	江西省南昌市红谷滩新区学府大道999号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	南昌大学	当前权利人	南昌大学
发明人	孙晓刚;吴小勇;庞志鹏;岳立福;聂艳艳;刘珍红
代理机构	南昌新天下专利商标代理有限公司	代理人	施秀瑾

摘要

一种碳纳米管薄膜的制备方法，包括如下步骤：（1）将碳纳米管置于石墨化炉中，抽真空且升温至2800℃以上，保温一段时间后冷却至室温；（2）以步骤（1）的碳纳米管、分散剂、粘结剂和N‑甲基吡咯烷酮溶液为原料，经过超声、高速剪切或球磨等，制备碳纳米管悬浊液；（3）将步骤（2）的碳纳米管悬浊液滴加在平铺的基底上，65℃烘干，分离基底；（4）将步骤（3）的碳纳米管薄膜置于真空炉内随炉升温至1300‑1500℃碳化，保温0.5‑2h，冷却至室温取出。本发明所制备的碳纳米管薄膜厚度在10‑20μm左右，较容易分离基底；经高温碳化改性，具有更好的使用性能；在锂离子电池中，可代替铝箔铜箔作为集流体，也可单独作为负极，具有较高的初始比容量。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供