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一种硅基氮氧化合物薄膜的制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201310210836.X
  • IPC分类号:C23C16/30;C23C16/505
  • 申请日期:
    2013-05-30
  • 申请人:
    南京理工大学泰州科技学院
著录项信息
专利名称一种硅基氮氧化合物薄膜的制备方法
申请号CN201310210836.X申请日期2013-05-30
法律状态授权申报国家暂无
公开/公告日2014-07-23公开/公告号CN103938181A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C23C16/30IPC分类号C;2;3;C;1;6;/;3;0;;;C;2;3;C;1;6;/;5;0;5查看分类表>
申请人南京理工大学泰州科技学院申请人地址
江苏省泰州市海陵区梅兰东路8号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人南京理工大学泰州科技学院当前权利人南京理工大学泰州科技学院
发明人董恒平;陈坤基;王昊;窦如凤;郭燕;李伟;徐骏
代理机构苏州中合知识产权代理事务所(普通合伙)代理人马丽丽
摘要
本发明涉及一种硅基氮氧化合物薄膜的制备方法,首先将清洗过的衬底放入PECVD设备的反应腔内,分别将Ar、H2等离子化对衬底进行轰击清洗,然后在20~30℃通入SiH4、NH3、H2混合气体,等离子化后在衬底上淀积a‑SiNx薄膜,通入O2氧化a‑SiNx薄膜形成a‑SiNxOy薄膜,在较低的温度下利用大氢稀释方法制备薄膜,降低了薄膜中的非辐射复合缺陷,从而降低其加压后的漏电流,提高其发光的功率效率,使其与同类薄膜电致发光器件相比发光效率有数量级的增强。

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