基于铁电PZT膜面内极化工作的硅微压电传声器及其制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200810227949.X
IPC分类号：H04R17/02;B81B7/02;H04R31/00;B81C1/00
申请日期：
2008-12-03
申请人：
中国科学院声学研究所

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著录项信息

专利名称	基于铁电PZT膜面内极化工作的硅微压电传声器及其制备方法
申请号	CN200810227949.X	申请日期	2008-12-03
法律状态	权利终止	申报国家	暂无
公开/公告日	2010-02-10	公开/公告号	CN101646115
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H04R17/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H04 电通信技术 H04R 扬声器、传声器、唱机拾音器或其他声—机电传感器；助听器；扩音系统（产生的声音和频率与电流频率无关的入G10K）〔6〕 H04R17/00 压电传感器；电致伸缩传感器 H04R17/02 传声器	IPC分类号	H;0;4;R;1;7;/;0;2;;;B;8;1;B;7;/;0;2;;;H;0;4;R;3;1;/;0;0;;;B;8;1;C;1;/;0;0查看分类表>
申请人	中国科学院声学研究所	申请人地址	北京市海淀区北四环西路21号中国科学院声学研究所变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院声学研究所	当前权利人	中国科学院声学研究所
发明人	刘梦伟;汪承灏;李俊红
代理机构	北京法思腾知识产权代理有限公司	代理人	杨小蓉

摘要

基于铁电PZT膜面内极化工作的硅微压电传声器及其制备方法属于硅微压电传声器技术领域，其特征在于：硅微压电传声器由从上到下依次放置的电极、面内极化的铁电PZT膜层、氧化锆过渡层、振动膜层、高温二氧化硅圆形倒模层、体硅刻蚀方杯和体硅刻蚀掩模层组成。所述的微传声器的振动膜层的工作区域为圆形结构，PZT膜及电极构成的电容位于微传声器振动膜圆形工作区域的中心或边缘，PZT膜的图形为圆形或环形，电极图形为具有相同圆心的圆形叉指结构。采用本发明所述的面内极化的PZT膜工作的硅微压电传声器，不需沉积PZT膜的底电极，简化了工艺，通过改变PZT膜和叉指电极在振动膜圆形工作区域上的位置、叉指电极间距大小可明显提高压电微传声器的灵敏度。

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