微机电器件加工中不同导电层图形对准误差电学测试结构

发明专利无效专利

申请号：
CN200710133887.1
IPC分类号：B81C5/00;G01B7/00
申请日期：
2007-10-12
申请人：
东南大学

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专利名称	微机电器件加工中不同导电层图形对准误差电学测试结构
申请号	CN200710133887.1	申请日期	2007-10-12
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2008-03-19	公开/公告号	CN101143704
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B81C5/00 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B8 微观结构技术；纳米技术 B81 微观结构技术〔7〕 B81C 专门适用于制造或处理微观结构装置或系统的方法或设备（制造微胶囊或微球入B01J13/02；专门适用于制造或处理压电器件、电致伸缩器件或磁致伸缩器件的方法或设备本身入H01L41/22）〔7〕 B81C5/00 （转入B81C 99/00）	IPC分类号	B;8;1;C;5;/;0;0;;;G;0;1;B;7;/;0;0查看分类表>
申请人	东南大学	申请人地址	江苏省南京市四牌楼2号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	东南大学	当前权利人	东南大学
发明人	李伟华;钱晓霞
代理机构	南京经纬专利商标代理有限公司	代理人	奚幼坚

摘要

微机电器件加工中不同导电层图形对准误差电学测试结构，以金属层为基本层，设计各导电层间对准误差的测试结构，该结构中半导体层为二块分离、同一材料但不同形状图形的半导体，一块为梯形，另一块为矩形，二者平行；与半导体层接触、形成连接的金属层为二根平行、有间距的金属条，其中一条垂直覆盖梯形的上、下底及矩形的二长边，另一条覆盖梯形的钝角部位且于二块半导体之间的分离区截断，两金属条和它们中间的半导体共同形成一个具有连接线的电阻，当金属与半导体导电层之间存在相对偏移时，测试电阻变化，可得到金属层图形相对于半导体导电材料层图形的对准误差。

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