凸点焊盘结构的多方向设计

发明专利有效专利

申请号：
CN201110035323.0
IPC分类号：H01L23/00;H01L23/488
申请日期：
2011-02-09
申请人：
台湾积体电路制造股份有限公司

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著录项信息

专利名称	凸点焊盘结构的多方向设计
申请号	CN201110035323.0	申请日期	2011-02-09
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2011-08-10	公开/公告号	CN102148204A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;0;0;;;H;0;1;L;2;3;/;4;8;8查看分类表>
申请人	台湾积体电路制造股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	台湾积体电路制造股份有限公司	当前权利人	台湾积体电路制造股份有限公司
发明人	陈志华;陈承先;郭正铮;刘醇鸿
代理机构	北京德恒律师事务所	代理人	陆鑫;高雪琴

摘要

本发明涉及一种凸点焊盘结构的多方向设计，提供了一种集成电路结构，包括：半导体芯片，具有第一区域和第二区域；介电层，形成在半导体芯片的第一区域和第二区域上；第一伸长凸点下金属化(UBM)连接件，形成在半导体芯片的第一区域上的介电层中，并且具有在第一方向上延伸的第一长轴；以及第二伸长UBM连接件，形成在半导体芯片的第二区域上的介电层中，并且具有在第二方向上延伸的第二长轴。其中，第一方向与第二方向不同。

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