制造RF装置的方法及用该方法制造的RF装置

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专利名称	制造RF装置的方法及用该方法制造的RF装置
申请号	CN200880008151.4	申请日期	2008-03-10
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2010-01-27	公开/公告号	CN101636873
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01P1/20 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01P 波导；谐振器、传输线或其他波导型器件（工作在光频的入G02B） H01P1/00 辅助器件（波导型耦合器件入H01P 5/00） H01P1/20 选频器件，例如滤波器	IPC分类号	H;0;1;P;1;/;2;0查看分类表>
申请人	ACE技术株式会社	申请人地址	韩国仁川市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	ACE技术株式会社	当前权利人	ACE技术株式会社
发明人	郑铭峻
代理机构	北京铭硕知识产权代理有限公司	代理人	郭鸿禧;李娜娜

摘要

本发明公开了一种制造RF装置的方法。所述方法包括如下的步骤：(a)形成金属片，其中，RF装置的内部结构形成在金属片处；(b)将塑料材料外壳附着到形成的金属片；(c)在附着有塑料材料外壳的RF装置上执行镀银。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

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