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基于碳纳米管作为桥接结构的高压二极管

实用新型专利有效专利
  • 申请号:
    CN201520822266.4
  • IPC分类号:H01L33/62;H01L33/00
  • 申请日期:
    2015-10-22
  • 申请人:
    江苏新广联半导体有限公司
著录项信息
专利名称基于碳纳米管作为桥接结构的高压二极管
申请号CN201520822266.4申请日期2015-10-22
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/62IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;6;2;;;H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人江苏新广联半导体有限公司申请人地址
江苏省无锡市锡山经济开发区团结北路18号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人江苏新广联科技股份有限公司,江苏新广联半导体有限公司当前权利人江苏新广联科技股份有限公司,江苏新广联半导体有限公司
发明人闫晓密;张秀敏;李睿
代理机构无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)代理人曹祖良;刘海
摘要
本实用新型涉及一种基于碳纳米管作为桥接结构的高压二极管,包括衬底,衬底上设置多个发光单元,发光单元包括在衬底上自下而上依次设置的缓冲层、U-GaN层、N-GaN层、多量子肼、P-GaN层和透明导电层,透明导电层上表面设置P电极,N-GaN层上表面设置N电极;其特征是:所述相邻的发光单元之间由沟槽相隔离,在沟槽表面设置SiO2绝缘层,在SiO2绝缘层表面设置桥接结构,桥接结构连接相邻发光单元的N-GaN层和透明导电层。本实用新型采用碳纳米管替代Au电极,解决目前高压二极管存在的芯片死灯现象。

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