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*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

半导体发光装置

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200780003309.4
  • IPC分类号:H01L33/00
  • 申请日期:
    2007-07-05
  • 申请人:
    香港应用科技研究院有限公司
著录项信息
专利名称半导体发光装置
申请号CN200780003309.4申请日期2007-07-05
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2009-02-25公开/公告号CN101375418
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/00IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人香港应用科技研究院有限公司申请人地址
中国香港新界沙田香港科学园科技大道西二号生物资讯中心三楼 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人香港应用科技研究院有限公司当前权利人香港应用科技研究院有限公司
发明人黄燕;邱国安;彭华军;冯剑;禇宏深
代理机构深圳新创友知识产权代理有限公司代理人江耀纯
摘要
一种半导体发光装置(100,300,400,500,600),在主发光方向上发出具有一个预定带宽的光,包括一个光产生区(109,405,607),用来产生光;以及一个1维光学晶体结构(113,417,615),其有一个光学带隙覆盖至少一段所述带宽。1维光学晶体结构(113,417,615)被放置成,使得一旦有从光产生区(109,405,607)产生的光入射,就被反射朝向主发光方向(111,411,609),所述光的波长在1维光学晶体结构(113,417,615)的带隙范围内。

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