一种MEMS结构

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201920713959.8
IPC分类号：H04R19/04
申请日期：
2019-05-18
申请人：
安徽奥飞声学科技有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	一种MEMS结构
申请号	CN201920713959.8	申请日期	2019-05-18
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H04R19/04 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H04 电通信技术 H04R 扬声器、传声器、唱机拾音器或其他声—机电传感器；助听器；扩音系统（产生的声音和频率与电流频率无关的入G10K）〔6〕 H04R19/00 静电传感器 H04R19/04 传声器（H04R 19/01优先）〔3〕	IPC分类号	H;0;4;R;1;9;/;0;4查看分类表>
申请人	安徽奥飞声学科技有限公司	申请人地址	安徽省合肥市高新区习友路3333号中国（合肥）国际智能语音产业园研发中心楼611-91室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	安徽奥飞声学科技有限公司	当前权利人	安徽奥飞声学科技有限公司
发明人	刘端
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本申请公开了一种MEMS结构，包括：衬底，具有邻近设置的空腔和第一凹槽，所述第一凹槽在所述空腔的外围；压电复合振动层，形成在所述空腔的正上方并且位于所述第一凹槽中间，其中，位于所述第一凹槽与所述空腔之间的部分的所述衬底支撑所述压电复合振动层，其中，所述压电复合振动层的外围区域具有第一波纹部分；质量块，形成在所述压电复合振动层的中间区域。该结构提高了压电复合振动层在声压作用下的位移和形变，降低了残余应力，进而提高了MEMS结构的灵敏度。而且，质量块有助于降低压电复合振动层的谐振频率，增加MEMS结构的灵敏度。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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