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半导体装置

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201080026398.6
  • IPC分类号:H01L29/06;H01L29/78
  • 申请日期:
    2010-07-29
  • 申请人:
    富士电机株式会社
著录项信息
专利名称半导体装置
申请号CN201080026398.6申请日期2010-07-29
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2012-05-23公开/公告号CN102473721A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/06IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8查看分类表>
申请人富士电机株式会社申请人地址
日本神奈川县 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人富士电机株式会社当前权利人富士电机株式会社
发明人大西泰彦;杉祥夫
代理机构上海专利商标事务所有限公司代理人张鑫
摘要
在有源区域(1)和漏区(2)之间形成有第一平行pn层(12)。外围区域(3)设置有第二平行pn层(15),其重复节距比所述第一平行pn层(12)的重复节距窄。在所述第二平行pn层(15)和第一主表面之间形成有n-表面区域(18)。在n-表面区域(18)的第一主表面侧,形成彼此间隔开的多个p保护环区域(19)、(20)和(21)。场板电极(23)电连接至p保护环区域(19)、(20)和(21)中最外面的p保护环区域(19)。沟道终止电极(24)电连接至外围区域(3)中最外面的外围p区域(26)。

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