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双重图形化鳍式晶体管的鳍结构线顶端切断方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201410371037.5
  • IPC分类号:H01L21/336;H01L21/308
  • 申请日期:
    2014-07-31
  • 申请人:
    上海集成电路研发中心有限公司
著录项信息
专利名称双重图形化鳍式晶体管的鳍结构线顶端切断方法
申请号CN201410371037.5申请日期2014-07-31
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2014-11-19公开/公告号CN104157574A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/336IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;1;/;3;0;8查看分类表>
申请人上海集成电路研发中心有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江高斯路497号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海集成电路研发中心有限公司当前权利人上海集成电路研发中心有限公司
发明人易春艳;李铭
代理机构上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)代理人吴世华;林彦之
摘要
本发明公开了一种双重图形化鳍式晶体管的鳍结构线顶端切断方法,先通过氮化硅硬掩模线条形成鱼鳍结构,然后进行鱼鳍线顶端切断的光刻和刻蚀工艺,此时需要切断的深度比较大,使得刻蚀有足够的时间和空间去调整刻蚀菜单以平衡各个层次的刻蚀速率,如平坦化层SOC、氮化硅、二氧化硅、硅衬底,从而使得切断处底部形貌更加平坦并最终完成鳍结构形成,避免刻蚀过程中硅凸起和硅锥的产生,以提高器件的电性能。

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