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一种具有阻容二极管辅助触发SCR结构的ESD防护器件

实用新型专利有效专利
  • 申请号:
    CN201720472036.9
  • IPC分类号:H01L27/02
  • 申请日期:
    2017-04-28
  • 申请人:
    江南大学
著录项信息
专利名称一种具有阻容二极管辅助触发SCR结构的ESD防护器件
申请号CN201720472036.9申请日期2017-04-28
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/02IPC分类号H;0;1;L;2;7;/;0;2查看分类表>
申请人江南大学申请人地址
江苏省无锡市滨湖区蠡湖大道1800号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人江南大学当前权利人江南大学
发明人梁海莲;刘湖云;顾晓峰
代理机构暂无代理人暂无
摘要
一种具有阻容二极管辅助触发SCR结构的ESD防护器件,可用于提高芯片的抗ESD能力。主要由P衬底、N阱、P阱、第一N+注入区、第一P+注入区、第二N+注入区、第三N+注入区、第二P+注入区、第四N+注入区、第三P+注入区、第一多晶硅栅及其覆盖的第一薄栅氧化层和第二多晶硅栅及其覆盖的第二薄栅氧化层构成。在ESD应力作用下,当器件发生齐纳击穿时,一方面可形成由寄生阱电阻、MOS电容和栅控二极管构成的寄生阻容耦合辅助触发路径,以降低器件的触发电压和开启时间,另一方面可形成由一寄生PNP和两NPN构成的两条SCR结构电流泄放路径,以降低典型SCR结构的正反馈程度,提高器件的维持电压。

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